SI3459BDV-T1-E3 datasheet
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
О ДАТАШИТЕ
-
МаркировкаSI3459BDV-T1-E3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеVishay Intertechnology SI3459BDV-T1-E3 Configuration: Single Quad Drain Continuous Drain Current: 2.2 A Continuous Drain Current Id: -2.9A Drain Source Voltage Vds: -60V Drain-source Breakdown Voltage: - 60 V Gate-source Breakdown Voltage: +/- 20 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT On Resistance Rds(on): 288mohm Package / Case: TSOP Power Dissipation: 2 W Rds(on) Test Voltage Vgs: 20V Resistance Drain-source Rds (on): 0.216 Ohms Threshold Voltage Vgs Typ: -3V Transistor Polarity: P Channel
-
Количество страниц11 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
22.05.2024
21.05.2024
20.05.2024